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窪田式MOS-FET終段NO-NFB 0dBパワーアンプの製作

ヘッドホンアンプとして、窪田登司氏が「無線と実験」1999年3月号に発表された
オールFETプリメインアンプのプリ部製作に続き、窪田氏の「半導体アンプ製作技法」
に掲載されている窪田式MOS−FET終段NO−NFB 0dBパワーアンプを製作しました。
回路については変更ありませんが、入手出来ない次のものを変更しました。
・電源トランス タンゴA−65S→ノグチトランスPM305W
・大容量ケミコン 松下電子X−Pro 15000μ50V→10000μ50V(6個使用)
なお、回路通りに製作するとハム音が出るという指摘があり、バイアス電源のみ窪田式
FET電源基板を利用しました。
写真はないですがトランスの端子が外部に出ていて危険なためカバーを取付てあります。
エージングは済んでいませんが、素晴らしい音で鳴っています。


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完成した窪田式MOS−FET終段NO−NFB 0dBパワーアンプです。

kubota_main2  kubota_main3
左がアンプ内部で、右がバイアス電源に使用したいつもの窪田式FET電源基板です。
回路図については、窪田登司著「半導体アンプ製作技法」をご覧下さい。